长江存储制造出“世界最先进”的3D NAND内存芯片，引发科技界惊喜

根据TechInsights的一份报告，中国领先的内存芯片生产商长江存储（YMTC）已制造出，被公认为是消费设备中“世界最先进”的3D NAND内存芯片。

该报告于周三发布，TechInsights指出长江存储的这款内存芯片，被发现在一款于7月悄然发布的固态硬盘中。

尽管该公司因被列入美国商务部的实体清单而受到制裁，但该报告显示，该制造商仍在继续发展先进技术。

这一发展是继TechInsights早期对华为Mate 60 Pro智能手机中使用的麒麟9000S 5G处理器进行拆解分析之后的最新进展。

该处理器据说是由中芯国际（SMIC）制造的，尽管他们面临严格的美国限制，这款强大的国产芯片令许多行业分析师感到惊讶。

TechInsights在其报告中表示：“正如TechInsights在华为Mate 60 Pro的麒麟9000s处理器（使用SMIC的7纳米（N+2）工艺）中所揭示的创新一样，有越来越多的证据表明，中国在克服贸易限制，和建立自己的国内半导体供应链方面比预期更为成功。”

3D NAND内存芯片处于内存芯片设计的前沿，是人工智能和机器学习等高性能计算应用的重要组成部分。

2022年12月中旬，由于世界两大经济体之间的贸易和地缘政治紧张局势不断升级，长江存储和其他21家“主要”的中国芯片行业参与者被添加到美国实体清单中。

当时，这家位于武汉的芯片制造商一直在挑战内存芯片领导者三星电子、SK海力士和美光科技，推出一款新的旗舰3D NAND闪存芯片，即232层的X3-9070。

然而，在美国设备供应商KLA和Lam Research停止对长江存储的销售和服务之后，这款芯片的大规模生产前景受到了影响。

TechInsights表示，最近内存芯片市场的低迷和行业重新关注成本节约措施，可能为长江存储提供了一个机会，推出一款更先进、更高位密度的芯片。

首次有关长江存储在内存芯片进步方面的报道出现在4月份，当时未具名的消息来源告诉《南华早报》，长江存储正在加倍努力与中国供应商合作，以帮助生产其最先进的芯片。

这一努力基于长江存储的“Xtacking 3.0”架构，消息人士表示，在一个代号为“武当山”的高度机密项目中已取得了进展。

消息人士表示，该项目旨在仅使用中国设备，并且长江存储已经向国内设备供应商（包括位于北京的北方华创，这是一家中国领先的刻蚀工具制造商）下了大量订单，这些工具也是美国Lam Research的主要产品线。

然而，当时分析师们指出，中国的芯片制造供应链中还存在许多未解决的瓶颈，比如缺乏可行的国内中国替代方案，用于制造芯片的工具，如荷兰公司ASML Holding可提供的光刻系统。

这家荷兰公司在生产世界上最先进的极紫外（EUV）光刻机方面几乎处于垄断地位。

TechInsights在其报告中没有对长江存储的内存芯片，是否被认为是完全由中国制造的工具和组件生产的发表评论。

周三，彭博社发布了一份援引未具名消息来源的报告，称中芯国际使用了ASML重新改造的设备，特别是其深紫外（DUV）光刻系统，以制造华为智能手机中的先进处理器。

使用DUV工艺进行大规模生产的成本，被估计比使用更先进的EUV光刻系统更昂贵，而ASML自2019年以来已被禁止向中国销售这些系统。

然而，对ASML向中国销售的更严格限制即将到来。从2024年1月开始，根据海牙的最新限制，从2024年1月起，该公司将被禁止向中国销售其2000系列DUV机器。

虽然中国最近在芯片方面的突破激发了国内对该国在制造国产先进芯片方面取得进展的兴奋，但一些专家警告说，中国企业在生产取得真正进展所需的光刻系统方面，仍落后数年。